德国SUSS MicroTec旋涂机特点

　　SUSS旋涂机的核心竞争优势在于其GYRSET®旋转封闭盖涂覆技术、广泛的衬底兼容性（从碎片到300mm晶圆）以及模块化可扩展架构。无论是标准硅晶圆、化合物半导体、MEMS器件还是微光学元件，SUSS均能提供匹配的涂覆与显影解决方案。

　　适配Mini/MicroLED、红外光波导、衍射光学元件基板涂覆，满足光学器件对膜层均匀度的高要求SUSS旋涂机的核心竞争优势在于其GYRSET®旋转封闭盖涂覆技术、广泛的衬底兼容性（从碎片到300mm晶圆）以及模块化可扩展架构。无论是标准硅晶圆、化合物半导体、MEMS器件还是微光学元件，SUSS均能提供匹配的涂覆与显影解决方案。

　　手动研发级：LabSpin系列

　　LabSpin系列是SUSS专为实验室与研发（R&D）环境设计的手动旋涂/显影系统，以操作灵活性、紧凑footprint和高性价比著称。

　　2.1LabSpin6

　　适用衬底：圆形最大6英寸（150mm），方形最大4英寸（100mm），支持碎片及小尺寸样品

　　转速范围：50–8,000rpm（精度±1rpm）

　　加速度：200–3,000rpm/s可调

　　核心功能：光刻胶旋涂、显影、边缘珠去除（EBR）、DI水冲洗、氮气干燥

　　应用场景：高校洁净室、基础材料研究、小批量原型验证

　　2.2LabSpin8/LabSpin8TT/LabSpin8BM

　　适用衬底：圆形最大8英寸（200mm），方形最大150×150mm

　　转速范围：50–8,000rpm（精度±1rpm），200mm卡盘配置下可达8,000rpm

　　最大加速度：4,000rpm/s

　　配方容量：200个工艺配方，每配方最多40个步骤

　　半自动中试级：RCD8系列

　　SUSS旋涂机RCD8是连接研发与量产的关键桥梁，提供半自动化的精密涂覆与显影能力，适用于日常研发工作直至小批量生产。

　　3.1RCD8Semi-AutomatedCoater&Developer

　　适用衬底：2英寸至200mm圆形晶圆，2英寸至150mm方形衬底

　　转速范围：最高10,000rpm（可选升级至12,000rpm）

　　最大加速度：7,000rpm/s

　　粘度范围：<<1cps至55,000cps，覆盖从低粘度溶剂到高粘度厚胶（如SU-8、聚酰亚胺）

　　经典Legacy型号：RC8系列

　　RC8系列是SUSS早期推出的经典旋涂平台，至今仍在全球众多实验室和产线中服役。

　　6.1RC8-MS3

　　适用衬底：大200mm晶圆或6×6英寸方形衬底

　　核心技术：集成GYRSET®系统，提升膜厚均匀性并降低光刻胶消耗

　　分配系统：电动可编程分配臂，支持快速更换GYRSET模块

　　机柜：不锈钢底座机柜，坚固耐用

　　6.2RC8-MS2/RC5

　　RC8-MS2为RC8系列的前代配置，RC5为更早期的基础型号

　　通常与CT62/CT60旋涂控制器配合使用

　　适用于预算有限但仍需SUSS品质保障的入门级应用场景

　　在半导体研发中心的应用场景

　　功率器件工艺研发

　　适配碳化硅、氮化镓宽禁带半导体光刻实验，完成厚胶钝化层、栅极光刻胶旋涂与图形显影，用于车规功率芯片前期工艺验证。

　　先进封装预实验

　　面向扇出型晶圆级封装、2.5D/3D堆叠封装研发，开展重布线层RDL光刻胶涂覆、显影工艺调试，验证临时键合配套光刻流程。

　　MEMS传感器试制

　　用于压力传感器、加速度计、微流控芯片多层光刻加工，通过可调转速完成牺牲层、结构层薄膜制备。

　　光电子芯片开发

　　适配Mini/MicroLED、红外光波导、衍射光学元件基板涂覆，满足光学器件对膜层均匀度的高要求版本区分：

　　LabSpin8TT（Table-Top）：台式独立机柜，内置文丘里真空发生器，无需外接真空泵，尺寸仅350×446×430mm

　　LabSpin8BM（BenchModule）：湿法工作台集成版本，可嵌入SUSSLabCluster或第

　　在半导体研发中心的应用场景

　　功率器件工艺研发

　　适配碳化硅、氮化镓宽禁带半导体光刻实验，完成厚胶钝化层、栅极光刻胶旋涂与图形显影，用于车规功率芯片前期工艺验证。

　　先进封装预实验

　　面向扇出型晶圆级封装、2.5D/3D堆叠封装研发，开展重布线层RDL光刻胶涂覆、显影工艺调试，验证临时键合配套光刻流程。

　　MEMS传感器试制

　　用于压力传感器、加速度计、微流控芯片多层光刻加工，通过可调转速完成牺牲层、结构层薄膜制备。

　　光电子芯片开发